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BFP 520F E6327详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANSISTOR RF NPN 2.5V TSFP-4; 系列：-; 制造商：Infineon Technologies; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：3.5V; 频率_转换：45GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：0.95dB @ 1.8GHz; 增益：22.5dB; 功率_最大：100mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：70 @ 20mA，2V; 电流_集电极333Ic444（最大）：40mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：4-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：4-TSFP; 包装：带卷 (TR)

BFP 520F E6327详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANSISTOR RF NPN 2.5V TSFP-4; 系列：-; 制造商：Infineon Technologies; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：3.5V; 频率_转换：45GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：0.95dB @ 1.8GHz; 增益：22.5dB; 功率_最大：100mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：70 @ 20mA，2V; 电流_集电极333Ic444（最大）：40mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：4-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：4-TSFP; 包装：剪切带 (CT)

BFP 520F E6327详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANSISTOR RF NPN 2.5V TSFP-4; 系列：-; 制造商：Infineon Technologies; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：3.5V; 频率_转换：45GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：0.95dB @ 1.8GHz; 增益：22.5dB; 功率_最大：100mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：70 @ 20mA，2V; 电流_集电极333Ic444（最大）：40mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：4-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：4-TSFP; 包装：Digi-Reel®

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C0603C159C5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 1.5PF 50V NP0 0603
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存储器 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC EEPROM 256KBIT 400KHZ 8SOP
BFP640FE6327
RF 晶体管 (BJT) Infineon Technologies 4-SMD，扁平引线 TRANSISTOR NPN RF 4V TSFP-4
C1812H224J5GACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 0.22UF 50V 5% NP0 1812
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陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 0.15UF 10V 10% X5R 0201
C0805C273K5RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.027UF 50V 10% X7R 0805